Electrónica flexible

Un nuevo transistor supera de forma notable a modelos existentes de su tipo. Este avance podría conducir a un aumento espectacular de las prestaciones de los dispositivos electrónicos flexibles e incorporables a prendas de vestir.

El transistor es obra del equipo de Xiangfeng Duan, de la Universidad de California en Los Ángeles (UCLA), Estados Unidos.

Gracias a sus propiedades electrónicas y ópticas especiales, nanomateriales como el grafeno y el sulfuro de molibdeno han despertado grandes expectativas entre los científicos por su potencial para revolucionar el diseño de transistores y circuitos.

Están en marcha investigaciones que podrían incrementar grandemente la eficiencia y las capacidades de los semiconductores por capas bidimensionales utilizados en dispositivos electrónicos flexibles y de alta velocidad. Pero la estructura del grafeno carece de una propiedad llamada banda prohibida, que permite que la corriente que pasa a través del material sea apagada o encendida. A diferencia del grafeno, el sulfuro de molibdeno tiene una banda prohibida y puede funcionar como semiconductor de grosor atómico, permitiendo así la fabricación de transistores de grosor atómico con altas tasas de encendido/apagado (on/off) y otras cualidades deseables.

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